中商情報網(wǎng)訊：IGBT是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的高輸入阻抗與BJT（雙極型晶體管）的低導(dǎo)通壓降優(yōu)勢。其核心結(jié)構(gòu)由四層半導(dǎo)體（P+/N-/P-body/N+）和MOS柵極構(gòu)成，形成類似“MOS柵控雙極晶體管”的復(fù)合結(jié)構(gòu)。IGBT作為一種新型功率半導(dǎo)體器件，是國際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。
IGBT是目前發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2025-2030年全球及中國IGBT市場調(diào)查與行業(yè)前景預(yù)測專題研究報告》顯示，2024年全球IGBT的市場規(guī)模約為75億美元，較上年增長5.6%。受益于新能源汽車、風(fēng)光儲、工業(yè)控制等領(lǐng)域需求的爆發(fā)式增長，中商產(chǎn)業(yè)研究院分析師預(yù)測，2025年全球IGBT市場規(guī)模將達(dá)到80億美元。
數(shù)據(jù)來源：Yole、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
在雙碳戰(zhàn)略驅(qū)動和人工智能浪潮下，市場對能源轉(zhuǎn)換效率、設(shè)備智能化水平的要求持續(xù)提升，進(jìn)而推動市場對各類半導(dǎo)體功率器件需求持續(xù)增加，IGBT等半導(dǎo)體功率器件將成為國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中不可或缺的電子元器件。中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2025-2030年全球及中國IGBT市場調(diào)查與行業(yè)前景預(yù)測專題研究報告》顯示，2024年中國IGBT市場規(guī)模達(dá)到223.3億元，較上年增長10.7%。中商產(chǎn)業(yè)研究院分析師預(yù)測，2025年中國IGBT市場規(guī)模將達(dá)到244.9億元。
數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
更多資料請參考中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2025-2030年中國IGBT市場調(diào)研及投資戰(zhàn)略咨詢報告》，同時中商產(chǎn)業(yè)研究院還提供產(chǎn)業(yè)大數(shù)據(jù)、產(chǎn)業(yè)情報、行業(yè)研究報告、行業(yè)白皮書、行業(yè)地位證明、可行性研究報告、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)鏈招商圖譜、產(chǎn)業(yè)招商指引、產(chǎn)業(yè)鏈招商考察&推介會、“十五五”規(guī)劃等咨詢服務(wù)。
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