中商情報網訊：IGBT是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，結合了MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）的高輸入阻抗與BJT（雙極型晶體管）的低導通壓降優(yōu)勢。其核心結構由四層半導體（P+/N-/P-body/N+）和MOS柵極構成，形成類似“MOS柵控雙極晶體管”的復合結構。IGBT作為一種新型功率半導體器件，是國際上公認的電力電子技術第三次革命最具代表性的產品，被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。
近年來，中國IGBT行業(yè)受到各級政府的高度重視和國家產業(yè)政策的重點支持。國家陸續(xù)出臺了多項政策，鼓勵IGBT行業(yè)發(fā)展與創(chuàng)新，《新產業(yè)標準化領航工程實施方案（2023─2035年）》《制造業(yè)可靠性提升實施意見》《關于推動能源電子產業(yè)發(fā)展的指導意見》等產業(yè)政策為IGBT行業(yè)的發(fā)展提供了明確、廣闊的市場前景，為企業(yè)提供了良好的生產經營環(huán)境。
資料來源：中商產業(yè)研究院整理
更多資料請參考中商產業(yè)研究院發(fā)布的《2025-2030年中國IGBT市場調研及投資戰(zhàn)略咨詢報告》，同時中商產業(yè)研究院還提供產業(yè)大數據、產業(yè)情報、行業(yè)研究報告、行業(yè)白皮書、行業(yè)地位證明、可行性研究報告、產業(yè)規(guī)劃、產業(yè)鏈招商圖譜、產業(yè)招商指引、產業(yè)鏈招商考察&推介會、“十五五”規(guī)劃等咨詢服務。
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