1.1　第三代半導(dǎo)體基本介紹
1.1.1　基礎(chǔ)概念界定
1.1.2　主要材料簡介
1.1.3　歷代材料性能
1.1.4　產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義
1.2　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程分析
1.2.1　材料發(fā)展歷程
1.2.2　產(chǎn)業(yè)演進全景
1.2.3　產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移路徑
1.3　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成及特點
1.3.1　產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)簡介
1.3.2　產(chǎn)業(yè)鏈圖譜分析
1.3.3　產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)體系
1.3.4　產(chǎn)業(yè)鏈體系分工

2.1　2022-2024年全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)運行狀況
2.1.1　政府部署情況
2.1.2　市場發(fā)展規(guī)模
2.1.3　行業(yè)技術(shù)進展
2.1.4　企業(yè)競爭格局
2.1.5　區(qū)域競爭格局
2.1.6　行業(yè)競爭趨勢
2.1.7　行業(yè)前景展望
2.2　美國
2.2.1　經(jīng)費投入規(guī)模
2.2.2　產(chǎn)業(yè)技術(shù)優(yōu)勢
2.2.3　技術(shù)研究中心
2.2.4　國家支持基金
2.2.5　產(chǎn)線建設(shè)動態(tài)
2.2.6　戰(zhàn)略層面部署
2.3　日本
2.3.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展計劃
2.3.2　封裝技術(shù)聯(lián)盟
2.3.3　產(chǎn)業(yè)重視原因
2.3.4　技術(shù)領(lǐng)先狀況
2.3.5　企業(yè)發(fā)展布局
2.3.6　國際合作動態(tài)
2.4　歐盟
2.4.1　企業(yè)布局情況
2.4.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)
2.4.3　前沿企業(yè)格局
2.4.4　未來發(fā)展熱點

3.1　政策環(huán)境（Political）
3.1.1　中央部委政策支持
3.1.2　地方政府扶持政策
3.1.3　國家標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)行情況
3.1.4　中美貿(mào)易摩擦影響
3.2　經(jīng)濟環(huán)境（Economic）
3.2.1　宏觀經(jīng)濟概況
3.2.2　工業(yè)運行情況
3.2.3　社會融資規(guī)模
3.2.4　宏觀經(jīng)濟展望
3.3　社會環(huán)境（Social）
3.3.1　社會教育水平
3.3.2　知識專利水平
3.3.3　研發(fā)經(jīng)費投入
3.3.4　技術(shù)人才儲備
3.4　技術(shù)環(huán)境（Technological）
3.4.1　專利申請狀況
3.4.2　科技計劃專項
3.4.3　制造技術(shù)成熟
3.4.4　產(chǎn)業(yè)技術(shù)聯(lián)盟

4.1　中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展特點
4.1.1　數(shù)字基建打開成長空間
4.1.2　背光市場空間逐步擴大
4.1.3　襯底和外延是關(guān)鍵環(huán)節(jié)
4.1.4　產(chǎn)業(yè)上升國家戰(zhàn)略層面
4.1.5　產(chǎn)業(yè)鏈向國內(nèi)轉(zhuǎn)移明顯
4.2　中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述
4.2.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
4.2.2　產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
4.2.3　國產(chǎn)替代狀況
4.2.4　行業(yè)發(fā)展空間
4.3　2022-2024年中國第三代半導(dǎo)體市場運行狀況分析
4.3.1　市場發(fā)展規(guī)模
4.3.2　產(chǎn)業(yè)企業(yè)布局
4.3.3　產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展
4.3.4　市場供需分析
4.4　2022-2024年中國第三代半導(dǎo)體上游原材料市場發(fā)展分析
4.4.1　上游金屬硅產(chǎn)能釋放
4.4.2　上游氧化鋅市場現(xiàn)狀
4.4.3　上游材料產(chǎn)業(yè)鏈布局
4.4.4　上游材料競爭狀況分析
4.5　中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題分析
4.5.1　技術(shù)缺乏市場競爭力
4.5.2　基礎(chǔ)研究能力欠缺
4.5.3　中試平臺成本高
4.5.4　制造技術(shù)未完全成熟
4.6　中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議及對策
4.6.1　加大研發(fā)支持力度
4.6.2　完善產(chǎn)業(yè)體系生態(tài)
4.6.3　加快技術(shù)成果轉(zhuǎn)化
4.6.4　加強國際科技合作

5.1　GaN材料基本性質(zhì)及制備工藝發(fā)展?fàn)顩r
5.1.1　GaN產(chǎn)業(yè)鏈條
5.1.2　GaN結(jié)構(gòu)性能
5.1.3　GaN制備工藝
5.1.4　GaN材料類型
5.1.5　技術(shù)專利情況
5.1.6　技術(shù)發(fā)展趨勢
5.2　GaN材料市場發(fā)展概況分析
5.2.1　項目建設(shè)動態(tài)
5.2.2　材料價格走勢
5.2.3　材料技術(shù)水平
5.2.4　市場應(yīng)用進展
5.2.5　應(yīng)用市場預(yù)測
5.2.6　市場競爭狀況
5.3　GaN器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
5.3.1　器件產(chǎn)品類別
5.3.2　GaN晶體管
5.3.3　射頻器件產(chǎn)品
5.3.4　電力電子器件
5.3.5　光電子器件
5.4　GaN器件應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展情況
5.4.1　電子電力器件應(yīng)用
5.4.2　高頻功率器件應(yīng)用
5.4.3　應(yīng)用實現(xiàn)條件與對策
5.5　GaN器件發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)
5.5.1　器件技術(shù)難題
5.5.2　電源技術(shù)瓶頸
5.5.3　風(fēng)險控制建議

6.1　SiC材料基本性質(zhì)與制備技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r
6.1.1　SiC性能特點
6.1.2　SiC制備工藝
6.1.3　SiC產(chǎn)品類型
6.1.4　單晶技術(shù)專利
6.1.5　技術(shù)難點分析
6.2　SiC材料市場發(fā)展概況分析
6.2.1　產(chǎn)業(yè)鏈條分析
6.2.2　材料市場規(guī)模
6.2.3　市場價格走勢
6.2.4　市場供應(yīng)分析
6.2.5　市場需求方分析
6.2.6　材料技術(shù)水平
6.2.7　市場龍頭企業(yè)
6.3　SiC器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
6.3.1　產(chǎn)品結(jié)構(gòu)設(shè)計
6.3.2　電力電子器件
6.3.3　功率模塊產(chǎn)品
6.3.4　器件產(chǎn)品布局
6.4　SiC器件應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展情況
6.4.1　SiC下游主要應(yīng)用場景
6.4.2　SiC導(dǎo)電型器件應(yīng)用
6.4.3　SiC半絕緣型器件應(yīng)用
6.4.4　SiC新能源汽車領(lǐng)域應(yīng)用
6.4.5　SiC充電樁領(lǐng)域應(yīng)用

7.1?、笞宓锇雽?dǎo)體材料發(fā)展分析
7.1.1　基礎(chǔ)概念介紹
7.1.2　材料結(jié)構(gòu)性能
7.1.3　材料制備工藝
7.1.4　主要器件產(chǎn)品
7.1.5　應(yīng)用發(fā)展?fàn)顩r
7.1.6　發(fā)展建議對策
7.2　寬禁帶氧化物半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.2.1　基本概念介紹
7.2.2　材料結(jié)構(gòu)性能
7.2.3　材料制備工藝
7.2.4　主要應(yīng)用器件
7.3　氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.3.1　材料結(jié)構(gòu)性能
7.3.2　材料應(yīng)用優(yōu)勢
7.3.3　材料國外進展
7.3.4　國內(nèi)技術(shù)進展
7.3.5　器件應(yīng)用發(fā)展
7.3.6　未來發(fā)展前景
7.4　金剛石半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.4.1　材料結(jié)構(gòu)性能
7.4.2　材料研究背景
7.4.3　材料發(fā)展特點
7.4.4　主要器件產(chǎn)品
7.4.5　應(yīng)用發(fā)展?fàn)顩r
7.4.6　國產(chǎn)替代機遇
7.4.7　材料發(fā)展難點

8.1　第三代半導(dǎo)體下游產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展概況
8.1.1　下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)分布
8.1.2　下游產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢特點
8.1.3　下游產(chǎn)業(yè)需求旺盛
8.2　2022-2024年電力電子領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.2.1　全球市場發(fā)展規(guī)模
8.2.2　全球應(yīng)用市場占比
8.2.3　國內(nèi)市場發(fā)展規(guī)模
8.2.4　國內(nèi)器件應(yīng)用分布
8.2.5　器件發(fā)展趨勢分析
8.3　2022-2024年微波射頻領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.3.1　射頻器件市場規(guī)模
8.3.2　射頻市場競爭分析
8.3.3　射頻器件市場需求
8.3.4　國防基站應(yīng)用分析
8.3.5　射頻器件發(fā)展趨勢
8.4　2022-2024年半導(dǎo)體照明領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.4.1　發(fā)展政策支持
8.4.2　產(chǎn)業(yè)鏈分析
8.4.3　LED芯片發(fā)展
8.4.4　項目建設(shè)動態(tài)
8.4.5　企業(yè)競爭格局
8.5　2022-2024年半導(dǎo)體激光器發(fā)展?fàn)顩r
8.5.1　產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展現(xiàn)狀
8.5.2　企業(yè)發(fā)展格局
8.5.3　產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分析
8.5.4　主要技術(shù)分析
8.5.5　國產(chǎn)化趨勢
8.6　2022-2024年5G新基建領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.6.1　5G產(chǎn)業(yè)發(fā)展進程
8.6.2　行業(yè)投融資狀況
8.6.3　5G助推材料發(fā)展
8.6.4　材料應(yīng)用發(fā)展方向
8.6.5　產(chǎn)業(yè)投資發(fā)展展望
8.7　2022-2024年新能源汽車領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.7.1　新能源汽車整體產(chǎn)銷規(guī)模
8.7.2　新能源汽車板塊企業(yè)動態(tài)
8.7.3　新能源汽車市場集中度
8.7.4　充電基礎(chǔ)設(shè)施運行情況
8.7.5　設(shè)施與汽車的對比情況

9.1　2022-2024年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展概況
9.1.1　產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布
9.1.2　區(qū)域建設(shè)回顧
9.2　京津翼地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.2.1　北京產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.2.2　順義產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況
9.2.3　保定產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況
9.2.4　應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地
9.2.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.3　中西部地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.3.1　成都產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.3.2　重慶產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.3.3　西安產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.4　珠三角地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.4.1　廣東產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.4.2　廣州產(chǎn)業(yè)發(fā)展動態(tài)
9.4.3　深圳產(chǎn)業(yè)發(fā)展動態(tài)
9.4.4　東莞產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.4.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.5　華東地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.5.1　江蘇產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況
9.5.2　蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)展
9.5.3　山東產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃
9.5.4　廈門產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.5.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.6　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展建議
9.6.1　提高資源整合效率
9.6.2　補足SiC領(lǐng)域短板
9.6.3　開展關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)
9.6.4　鼓勵地方加大投入

10.1　三安光電股份有限公司
10.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.1.2　企業(yè)業(yè)務(wù)布局
10.1.3　經(jīng)營效益分析
10.1.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.1.5　財務(wù)狀況分析
10.1.6　核心競爭力分析
10.2　聞泰科技股份有限公司
10.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.2.2　企業(yè)業(yè)務(wù)布局
10.2.3　經(jīng)營效益分析
10.2.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.2.5　財務(wù)狀況分析
10.2.6　核心競爭力分析
10.3　北京賽微電子股份有限公司
10.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.3.2　企業(yè)業(yè)務(wù)布局
10.3.3　經(jīng)營效益分析
10.3.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.3.5　財務(wù)狀況分析
10.3.6　核心競爭力分析
10.4　廈門乾照光電股份有限公司
10.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.4.2　企業(yè)業(yè)務(wù)布局
10.4.3　經(jīng)營效益分析
10.4.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.4.5　財務(wù)狀況分析
10.4.6　核心競爭力分析
10.5　湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司
10.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.5.2　企業(yè)業(yè)務(wù)布局
10.5.3　經(jīng)營效益分析
10.5.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.5.5　財務(wù)狀況分析
10.5.6　核心競爭力分析
10.6　京東方華燦光電股份有限公司
10.6.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.6.2　企業(yè)業(yè)務(wù)布局
10.6.3　經(jīng)營效益分析
10.6.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.6.5　財務(wù)狀況分析
10.6.6　核心競爭力分析
10.7　株洲中車時代電氣股份有限公司
10.7.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.7.2　企業(yè)業(yè)務(wù)布局
10.7.3　經(jīng)營效益分析
10.7.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.7.5　財務(wù)狀況分析
10.7.6　核心競爭力分析

11.1　行業(yè)投資背景
11.1.1　行業(yè)投資規(guī)模
11.1.2　投資市場周期
11.1.3　行業(yè)投資價值
11.2　行業(yè)投融資情況
11.2.1　國際投資案例
11.2.2　國內(nèi)投資項目
11.2.3　國際企業(yè)并購
11.2.4　國內(nèi)企業(yè)并購
11.2.5　企業(yè)融資動態(tài)
11.3　行業(yè)投資壁壘
11.3.1　技術(shù)壁壘
11.3.2　資金壁壘
11.3.3　貿(mào)易壁壘
11.4　行業(yè)投資風(fēng)險
11.4.1　企業(yè)經(jīng)營風(fēng)險
11.4.2　技術(shù)迭代風(fēng)險
11.4.3　行業(yè)競爭風(fēng)險
11.4.4　產(chǎn)業(yè)政策變化風(fēng)險
11.5　行業(yè)投資建議
11.5.1　積極把握5G通訊市場機遇
11.5.2　收購企業(yè)實現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破
11.5.3　關(guān)注新能源汽車催生需求
11.5.4　國內(nèi)企業(yè)向IDM模式轉(zhuǎn)型
11.5.5　加強高校與科研院所合作
11.6　投資項目案例
11.6.1　項目基本概述
11.6.2　項目建設(shè)必要性
11.6.3　項目建設(shè)可行性
11.6.4　項目投資概算
11.6.5　項目建設(shè)周期
11.6.6　項目經(jīng)濟效益

12.1　第三代半導(dǎo)體未來發(fā)展趨勢
12.1.1　產(chǎn)業(yè)成本趨勢
12.1.2　未來發(fā)展趨勢
12.1.3　應(yīng)用領(lǐng)域趨勢
12.2　第三代半導(dǎo)體未來發(fā)展前景
12.2.1　重要發(fā)展窗口期
12.2.2　產(chǎn)業(yè)應(yīng)用前景
12.2.3　產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇
12.2.4　產(chǎn)業(yè)市場機遇
12.2.5　產(chǎn)業(yè)發(fā)展展望
12.3　2025-2030年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)預(yù)測分析
12.3.1　中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展驅(qū)動五力模型分析
12.3.2　2025-2030年中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)電子電力和射頻電子總產(chǎn)值預(yù)測

圖表1　第三代半導(dǎo)體特點
圖表2　第三代半導(dǎo)體主要材料
圖表3　不同半導(dǎo)體材料性能比較（一）
圖表4　不同半導(dǎo)體材料性能比較（二）
圖表5　碳化硅、氮化鎵的性能優(yōu)勢
圖表6　半導(dǎo)體材料發(fā)展歷程及現(xiàn)狀
圖表7　半導(dǎo)體材料頻率和功率特性對比
圖表8　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)演進示意圖
圖表9　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈
圖表10　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈
圖表11　第三代半導(dǎo)體襯底制備流程
圖表12　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈全景圖譜
圖表13　第三代半導(dǎo)體健康的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系
圖表14　全球部分國家/地區(qū)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展環(huán)境分析
圖表15　2018-2023年全球第三代半導(dǎo)體材料（SiC功率器件、GaN射頻器件）市場規(guī)模
圖表16　國際SiC代表企業(yè)技術(shù)進展情況
圖表17　2022年全球碳化硅襯底市占率
圖表18　國外碳化硅外延廠商產(chǎn)品/產(chǎn)能布局
圖表19　全球GaN射頻元器件市場企業(yè)競爭梯隊
圖表20　全球碳化硅（SiC）區(qū)域發(fā)展格局
圖表21　2022年全球氮化鎵（GaN）區(qū)域競爭格局
圖表22　全球第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)競爭趨勢分析
圖表23　2024-2029年全球第三代半導(dǎo)體材料（SiC、GaN）市場規(guī)模預(yù)測
圖表24　日本下一代功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟成員（一）
圖表25　日本下一代功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟成員（二）
圖表26　歐洲LAST POWER產(chǎn)學(xué)研項目成員
圖表27　《新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》中第三代半導(dǎo)體相關(guān)內(nèi)容
圖表28　2019-2021年國家層面第三代半導(dǎo)體支持政策匯總
圖表29　2022年第三代半導(dǎo)體相關(guān)政策的分布情況
圖表30　2022年第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域地方政府部分政策法規(guī)列表